“GaP va GaAs asosidagi tarkibida vismut atomlari bo‘lgan ko‘p tarkibli geterotuzilmalarning fizik xossalari” mavzusida

Usmonov Joxongir Nishonboyevichning 01.04.10 – Yarimo‘tkazgichlar fizikasi ixtisosligi bo‘yicha “GaP va GaAs asosidagi tarkibida vismut atomlari bo‘lgan ko‘p tarkibli geterotuzilmalarning fizik xossalari” mavzusidagi fizika-matematika fanlari bo‘yicha falsafa doktori (PhD)  ilmiy darajasini olish uchun tayyorlangan dissertatsiya ishi himoyasi O‘zbekiston Milliy universiteti qoshidagi Yarimo‘tkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ilmiy-tadqiqot instituti huzuridagi ilmiy darajalar beruvchi DSc.03/30.12.2019. FM/T.01.12 raqamli Ilmiy kengashning 2021 yil 11 sentyabr kuni soat 10.00 dagi majlisida bo‘lib o‘tadi. 

Manzil: 100057, O‘zbekiston,Tashkent shahri, Yangi Olmazor ko‘chasi, 20-uy. 

Tel.: (+99871)248-79-94, faks: (+99871)248-79-92, 

e-mail: info@ispm.uz