“Оптоэлектрон қурилмалар учун GaAs ва Si асосида кўп қатламли фотосезгир структураларни яратиш” мавзусида

Гиясова Феруза Aбдиазизовнанинг “Оптоэлектрон қурилмалар учун GaAs ва Si асосида кўп қатламли фотосезгир структураларни яратиш” мавзусидаги техника фанлари доктори (DSc) илмий даражасини олиш учун тайёрланган диссертация иши ҳимояси Ўзбекистон Миллий университети ҳузуридаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроелектроника илмий-тадқиқот институти ҳузуридаги илмий даражалар берувчи DSc.03/30.12.2019.FM/Т.01.12 рақамли Илмий кенгашнинг 2024 йил 19 январь соат 11:00 даги мажлисида бўлиб ўтади.

Манзил: 100057,  Тошкент шаҳри, Янги Олмазор кўчаси, 20-uy.

e-mail: https://ispm.uz