«Наноўлчамдаги изоляцияланган затворли вертикал майдоний транзисторнинг характеристикаларига технологик флуктуацияларнинг таъсирини моделлаштириш» мавзусида

Абдикаримов Азамат Эгамбергановичнинг 01.04.10 – Яримўтказгичлар физикаси ихтисослиги бўйича «Наноўлчамдаги изоляцияланган затворли вертикал майдоний транзисторнинг характеристикаларига технологик флуктуацияларнинг таъсирини моделлаштириш»  мавзусидаги физика-математика фанлари бўйича фалсафа доктори (PhD) илмий даражасини олиш учун тайёрланган диссертация иши ҳимояси Ўзбекистон Миллий университети қошидаги Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқиқот институти ҳузуридаги илмий даражалар берувчи DSc.03/30.12.2019. FM/T.01.12 рақамли Илмий кенгашнинг 2021 йил 27 май куни соат 10:00 даги мажлисида бўлиб ўтади.

Манзил: 100057, Ўзбекистон,Ташкент шаҳри, Янги Олмазор кўчаси, 20-уй. 

Тел.: (+99871)248-79-94, факс: (+99871)248-79-92,

 e-mail: info@ispm.uz